1. 電位移密度單位

帶有磁性的原子核在外磁場的作用下發(fā)生自旋能級分裂,，當吸收外來電磁輻射時,，將發(fā)生核自旋能級的躍遷，從而產生核磁共振現(xiàn)象,。

在有機化合物中,，處在不同結構和位置上的各種氫核周圍的電子云密度不同，導致共振頻率有差異,，即產生共振吸收峰的位移,，稱為化學位移,。

2. 位移電流密度單位

因為環(huán)路L1圈住得比較小，所以肯定是電流比較小的（因為位移電流密度處處相等）,。

3. 位移電流密度數(shù)學表達式

△r=r(t2)-r(t1)

在物理學中,，△常常作為變量的前綴使用，表示該變量的變化量,，如：△t（時間變化量）,、△T（溫度變化量）、△X（位移變化量）,、△v（速度變化量）等等,。

4. 電位移等于電荷密度

在電場中存在電介質的情況下， 電場強度等于自由電荷和極化電荷所激發(fā)的場的疊加,， 為真空中的介電常數(shù),，移項得： 方括號中項只與電荷密度有關，因此將括號中項稱為電位移矢量,，即： ( 為真空介電常數(shù) , 為此電介質的相對介電常數(shù),； 為電極化強度;國際單位制(SI)中 單位: )

5. 電位移的單位

介電常數(shù)又叫介質常數(shù),介電系數(shù)或電容率,它是表示絕緣能力特性的一個系數(shù),以字母ε表示,單位為法/米 .

它是一個在電的位移和電場強度之間存在的比例常量.這一個常量在自由的空間（一個真空）中是8.85×10的-12次方法拉第/米（F/m）.在其它的材料中,介電系數(shù)可能差別很大,經常遠大于真空中的數(shù)值,其符號是eo.

在工程應用中,介電系數(shù)時常在以相對介電系數(shù)的形式被表達,而不是絕對值.如果eo表現(xiàn)自由空間（是,8.85×10的-12次方F/m）的介電系數(shù),而且e是在材料中的介電系數(shù),則這個材料的相對介電系數(shù)（也叫介電常數(shù)）由下式給出：ε1＝ε / εo＝ε×1.13×10的11次方 

很多不同的物質的介電常數(shù)超過1.這些物質通常被稱為絕緣體材料,或是絕緣體.普遍使用的絕緣體包括玻璃,紙,云母,各種不同的陶瓷,聚乙烯和特定的金屬氧化物.絕緣體被用于交流電.泡沫塑料用聚苯乙烯、聚氯乙烯,、聚氨基甲酸酯等樹脂制成 聚苯乙烯2.2.6 ,介電常數(shù)有相對介電常數(shù)和有效介電常數(shù)之分,平時我們說的介電常數(shù)就是相對介電常數(shù),硅的相對介電常數(shù)是11.9 .（AC）,聲音電波（AF）和無線電電波（射頻）的電容器和輸電線路.

一個電容板中充入介電常數(shù)為ε的物質后電容變大ε倍

6. 電位移和電流密度

電磁場在兩種不同媒質分界面上,，從一側過渡到另一側時，場矢量E,、D,、B、H一般都有一個躍變,。電磁場的邊界條件就是指場矢量的這種躍變所遵從的條件,，也就是兩側切向分量之間以及法向分量之間的關系。在某些電動力學或電磁場理論的書中,，為了與另一種邊界條件（在區(qū)域的表面上給定的有關場矢量的邊值）相區(qū)別,，將本條所解釋的電磁場邊界條件稱為電磁場的邊值關系。 電磁場的邊界條件可以由麥克斯韋方程組的積分形式推出,，它實際上是積分形式的極限結果,。這些邊界條件是

n·(D1-D2)=ρs； (1)

n×(E1-E2)=0,； (2)

n·(B1-B2)=0,； (3)

n×(H1-H2)=J)s。 (4)

式中n為兩媒質分界面法線方向的單位矢量,，場矢量E,、D、B、H的下標1或2分別表示在媒質1或2內緊靠分界面的場矢量,ρs為分界面上的自由電荷面密度,Js為分界面上的傳導電流面密度,。式(1)表示在分界面兩側電位移矢量D的法向分量的差等于分界面上的自由電荷面密度,。當分界面上無自由電荷時，兩側電位移矢量的法向分量相等,即其法向分量是連續(xù)的,。式(2)表示在分界面兩側電場強度E的切向分量是連續(xù)的,。式(3)表示在分界面兩側磁通密度B的法向分量是連續(xù)的。式(4)表示在分界面兩側磁場強度H的切向分量的差等于分界面上的表面?zhèn)鲗щ娏髅婷芏?。當分界面上無表面?zhèn)鲗щ娏鲿r,，兩側磁場強度的切向分量相等，即其切向分量是連續(xù)的,。 當媒質2為理想導體時,，E2、D2,、B2,、H2等于零，式(1)表示D1的法向分量等于自由電荷面密度,；式(2)表示E1無切向分量式(3)表示B1的法向分量為零；式(4)表示H1的切向分量等于表面?zhèn)鲗щ娏髅婷芏?并且與電流方向正交