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CL是CASLatency的縮寫,，一般翻譯成CAS潛伏時間,，是在北橋(Intel)/CPU(AMD最近的CPU)讀取內存數據時的一個參數，這個參數對于內存的性能有比較大的影響,。

CAS是內存信號中的一個信號,，讀取內存的具體過程是這樣的：有行(RAS#)列(CAS#)兩條信號，類似于我們的方格紙的行和列,，要讀取內存數據時,，RAS#信號拉低，內存地址線上的地址就是行地址,，相當于我們確定了方格紙上的行,，幾個時鐘周期后CAS#信號拉低，內存地址線上的地址就是列地址,，相當于確定了方格紙上的列,，這樣就能確定讀取方格紙上那個格的數據，再過幾個時鐘周期(CL),，開始讀取內存相應地址的數據,。

這樣說來CL就是CAS#到開始讀取內存數據的時鐘數，對于同一種時鐘速度的內存(比如都是DDR333),，大致CL越小,，速度越快，但是對于不同時鐘速度的內存(比如DDR333與DDR400),，沒有可比性,。

可惜不能貼圖，不然能很直觀的看出來,。

數據輸出（讀）

在選定列地址后,，就已經確定了具體的存儲單元，剩下的事情就是數據通過數據I/O通道（DQ）輸出到內存總線上了,。但是在CAS發(fā)出之后,，仍要經過一定的時間才能有數據輸出，從CAS與讀取命令發(fā)出到第一筆數據輸出的這段時間,，被定義為CL（CASLatency,，CAS潛伏期）。由于CL只在讀取時出現(xiàn),，所以CL又被稱為讀取潛伏期（RL,，ReadLatency）。CL的單位與tRCD一樣,，為時鐘周期數,，具體耗時由時鐘頻率決定。

不過，CAS并不是在經過CL周期之后才送達存儲單元,。實際上CAS與RAS一樣是瞬間到達的,，但CAS的響應時間要更快一些。為什么呢,？假設芯片位寬為n個bit,，列數為c，那么一個行地址要選通n×c個存儲體,，而一個列地址只需選通n個存儲體,。但存儲體中晶體管的反應時間仍會造成數據不可能與CAS在同一上升沿觸發(fā),，肯定要延后至少一個時鐘周期,。

CL的數值不能超出芯片的設計規(guī)范，否則會導致內存的不穩(wěn)定,，甚至開不了機（超頻的玩家應該有體會）,，而且它也不能在數據讀取前臨時更改。CL周期在開機初始化過程中的MRS階段進行設置,，在BIOS中一般都允許用戶對其調整,，然后BIOS控制北橋芯片在開機時通過A4-A6地址線對MR中CL寄存器的信息進行更改